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PSMN8R0-30LYC115

PSMN8R0-30LYC115

PSMN8R0-30LYC115

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

PSMN8R0-30LYC115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto -
tecnologia -
tensão de dreno para fonte (vdss) -
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem -
pacote de dispositivo do fornecedor -
pacote / caixa -
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Número da peça relacionada

BS250FTC
BS250FTC
$0 $/pedaço
IRL3715ZSTRL
NVD6416ANLT4G-001-VF01
NVD6416ANLT4G-001-VF01
$0 $/pedaço
IPP26CNE8N G
IXFR26N60Q
IXFR26N60Q
$0 $/pedaço
IRL3715STRLPBF
SI6473DQ-T1-GE3
SPI20N60C3HKSA1
IRF630NS
IRF630NS
$0 $/pedaço

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