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IXFR26N60Q

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IXFR26N60Q

IXYS

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247

não conforme

IXFR26N60Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 250mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 310W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ISOPLUS247™
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRL3715STRLPBF
SI6473DQ-T1-GE3
SPI20N60C3HKSA1
IRF630NS
IRF630NS
$0 $/pedaço
NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/pedaço
IRL3502SPBF
SI1056X-T1-E3
SI1056X-T1-E3
$0 $/pedaço
IXTR30N25
IXTR30N25
$0 $/pedaço

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