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SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

não conforme

SI6473DQ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 450mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.08W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Número da peça relacionada

SPI20N60C3HKSA1
IRF630NS
IRF630NS
$0 $/pedaço
NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/pedaço
IRL3502SPBF
SI1056X-T1-E3
SI1056X-T1-E3
$0 $/pedaço
IXTR30N25
IXTR30N25
$0 $/pedaço
SI7718DN-T1-GE3
IRFR3711TRRPBF

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