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SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

não conforme

SI7718DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRFR3711TRRPBF
IRFIBF30G
IRFIBF30G
$0 $/pedaço
STW75NF30
STW75NF30
$0 $/pedaço
BUK9509-55A,127
BUK9509-55A,127
$0 $/pedaço
SPD100N03S2L04T
SI4466DY-T1-E3
SI4466DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF3711SPBF
IPB47N10SL-26
NTD4863NA-1G
NTD4863NA-1G
$0 $/pedaço
IRF7220GTRPBF

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