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IPP26CNE8N G

IPP26CNE8N G

IPP26CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 35A TO220-3

não conforme

IPP26CNE8N G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 85 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 26mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 39µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2070 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 71W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IXFR26N60Q
IXFR26N60Q
$0 $/pedaço
IRL3715STRLPBF
SI6473DQ-T1-GE3
SPI20N60C3HKSA1
IRF630NS
IRF630NS
$0 $/pedaço
NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/pedaço
IRL3502SPBF
SI1056X-T1-E3
SI1056X-T1-E3
$0 $/pedaço

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