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PMZ600UNEYL

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MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

compliant

PMZ600UNEYL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.07568 -
30,000 $0.07095 -
50,000 $0.06291 -
100,000 $0.06149 -
5464 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 600mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 950mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 21.3 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-883
pacote / caixa SC-101, SOT-883
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Número da peça relacionada

SIHF540S-GE3
SIHF540S-GE3
$0 $/pedaço
RM60N100DF
RM60N100DF
$0 $/pedaço
SI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1
$0 $/pedaço
RSR025N05HZGTL
DI070P04PQ
DI070P04PQ
$0 $/pedaço
P1H06300D8
IPN95R1K2P7ATMA1
STP14NK50Z
STP14NK50Z
$0 $/pedaço
IRFB9N60APBF-BE3

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