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IRFB9N60APBF-BE3

IRFB9N60APBF-BE3

IRFB9N60APBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

não conforme

IRFB9N60APBF-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.22000 $3.22
500 $3.1878 $1593.9
1000 $3.1556 $3155.6
1500 $3.1234 $4685.1
2000 $3.0912 $6182.4
2500 $3.059 $7647.5
29 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRLML0100TRPBF
NTLUS4930NTBG
NTLUS4930NTBG
$0 $/pedaço
IXFQ34N50P3
IXFQ34N50P3
$0 $/pedaço
NTNUS3171PZT5G
NTNUS3171PZT5G
$0 $/pedaço
SIRA80DP-T1-RE3

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