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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 10A |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 6V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 1.3V @ 1mA |
vgs(th) (máx.) @ id | - |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máx.) | +10V, -20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | - |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 55.5W |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | DFN8*8 |
pacote / caixa | - |
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