Welcome to ichome.com!

logo
Lar

P1H06300D8

P1H06300D8

P1H06300D8

GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8

não conforme

P1H06300D8 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.98000 $4.98
500 $4.9302 $2465.1
1000 $4.8804 $4880.4
1500 $4.8306 $7245.9
2000 $4.7808 $9561.6
2500 $4.731 $11827.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3V @ 1mA
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +10V, -20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55.5W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN8*8
pacote / caixa -
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IPN95R1K2P7ATMA1
STP14NK50Z
STP14NK50Z
$0 $/pedaço
IRFB9N60APBF-BE3
IRLML0100TRPBF
NTLUS4930NTBG
NTLUS4930NTBG
$0 $/pedaço
IXFQ34N50P3
IXFQ34N50P3
$0 $/pedaço
NTNUS3171PZT5G
NTNUS3171PZT5G
$0 $/pedaço
SIRA80DP-T1-RE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.