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RM60N100DF

RM60N100DF

RM60N100DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 100V 60A 8DFN

compliant

RM60N100DF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3500 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 105W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1
$0 $/pedaço
RSR025N05HZGTL
DI070P04PQ
DI070P04PQ
$0 $/pedaço
P1H06300D8
IPN95R1K2P7ATMA1
STP14NK50Z
STP14NK50Z
$0 $/pedaço
IRFB9N60APBF-BE3
IRLML0100TRPBF

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