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IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO252

compliant

IPD80R1K4P7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.49167 -
5,000 $0.46978 -
12,500 $0.45415 -
25,000 $0.45188 -
2546 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 700µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 250 pF @ 500 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 32W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-2
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXTA4N80P-TRL
IXTA4N80P-TRL
$0 $/pedaço
SQM40020E_GE3
SQM40020E_GE3
$0 $/pedaço
PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL
$0 $/pedaço
IXTA4N70X2
IXTA4N70X2
$0 $/pedaço
BVSS123LT1G
BVSS123LT1G
$0 $/pedaço
IPA65R190E6XKSA1
IPA80R750P7XKSA1
FCB070N65S3
FCB070N65S3
$0 $/pedaço
FQB34N20TM

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