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BVSS123LT1G

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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

não conforme

BVSS123LT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.09812 -
6,000 $0.09291 -
15,000 $0.08508 -
30,000 $0.07987 -
75,000 $0.07205 -
150,000 $0.07063 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 20 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 225mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IPA65R190E6XKSA1
IPA80R750P7XKSA1
FCB070N65S3
FCB070N65S3
$0 $/pedaço
FQB34N20TM
IRFP2907ZPBF
2N7002K-T1-E3
2N7002K-T1-E3
$0 $/pedaço
SPP04N60C2
IXTF1R4N450
IXTF1R4N450
$0 $/pedaço
SI2333DDS-T1-BE3
IRFS4010TRL7PP

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