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FQB34N20TM

FQB34N20TM

FQB34N20TM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

FQB34N20TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.51000 $2.51
500 $2.4849 $1242.45
1000 $2.4598 $2459.8
1500 $2.4347 $3652.05
2000 $2.4096 $4819.2
2500 $2.3845 $5961.25
4976 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 75mOhm @ 15.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFP2907ZPBF
2N7002K-T1-E3
2N7002K-T1-E3
$0 $/pedaço
SPP04N60C2
IXTF1R4N450
IXTF1R4N450
$0 $/pedaço
SI2333DDS-T1-BE3
IRFS4010TRL7PP
FQD2N100TM
FQD2N100TM
$0 $/pedaço
PMV30XPAR
PMV30XPAR
$0 $/pedaço
FDD8896-F085

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