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SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

não conforme

SQM40020E_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.56000 $2.56
500 $2.5344 $1267.2
1000 $2.5088 $2508.8
1500 $2.4832 $3724.8
2000 $2.4576 $4915.2
2500 $2.432 $6080
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.33mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL
$0 $/pedaço
IXTA4N70X2
IXTA4N70X2
$0 $/pedaço
BVSS123LT1G
BVSS123LT1G
$0 $/pedaço
IPA65R190E6XKSA1
IPA80R750P7XKSA1
FCB070N65S3
FCB070N65S3
$0 $/pedaço
FQB34N20TM
IRFP2907ZPBF
2N7002K-T1-E3
2N7002K-T1-E3
$0 $/pedaço

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