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BSP603S2LHUMA1

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MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4

não conforme

BSP603S2LHUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1390 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-SOT223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

MCQ60P05-TP
MCQ60P05-TP
$0 $/pedaço
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/pedaço
DMP2066LVT-7
RTQ040P02TR
RTQ040P02TR
$0 $/pedaço
IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRFP150N
$0 $/pedaço
IRF614
IRF614
$0 $/pedaço
NTB75N06G
NTB75N06G
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