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AO4441L_001

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AO4441L_001

MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC

não conforme

AO4441L_001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1120 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

DMP2066LVT-7
RTQ040P02TR
RTQ040P02TR
$0 $/pedaço
IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRFP150N
$0 $/pedaço
IRF614
IRF614
$0 $/pedaço
NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/pedaço
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/pedaço
IRF6609
IRF6609
$0 $/pedaço

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