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IRF614

IRF614

IRF614

ADVANCED POWER MOSFET

IRF614 Ficha de dados

não conforme

IRF614 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 140 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/pedaço
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/pedaço
IRF6609
IRF6609
$0 $/pedaço
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
SI6413DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF

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