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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 20 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 7.2A (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 1.8V, 4.5V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 10mOhm @ 8.8A, 4.5V |
vgs(th) (máx.) @ id | 800mV @ 400µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 105 nC @ 5 V |
vgs (máx.) | ±8V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | - |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 1.05W (Ta) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | 8-TSSOP |
pacote / caixa | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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