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RTQ040P02TR

RTQ040P02TR

RTQ040P02TR

MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6

não conforme

RTQ040P02TR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.21895 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12.2 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1350 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TSMT6 (SC-95)
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

IRF1902GTRPBF
IRFP150N
IRFP150N
$0 $/pedaço
IRF614
IRF614
$0 $/pedaço
NTB75N06G
NTB75N06G
$0 $/pedaço
IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/pedaço
IRF6609
IRF6609
$0 $/pedaço
IRF3711ZSPBF

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