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DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

DMN6013LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

compliant

DMN6013LFGQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.37690 $0.3769
500 $0.373131 $186.5655
1000 $0.369362 $369.362
1500 $0.365593 $548.3895
2000 $0.361824 $723.648
2500 $0.358055 $895.1375
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.3A (Ta), 45A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2577 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SIRA00DP-T1-RE3
DMT6006SPS-13
DMTH4014LFVW-13
G50N03J
G50N03J
$0 $/pedaço
DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/pedaço
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/pedaço
RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR
$0 $/pedaço

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