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DMTH4014LFVW-13

DMTH4014LFVW-13

DMTH4014LFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

compliant

DMTH4014LFVW-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.21364 $0.21364
500 $0.2115036 $105.7518
1000 $0.2093672 $209.3672
1500 $0.2072308 $310.8462
2000 $0.2050944 $410.1888
2500 $0.202958 $507.395
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 750 pF @ 20 V
característica fet Standard
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

G50N03J
G50N03J
$0 $/pedaço
DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/pedaço
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/pedaço
RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR
$0 $/pedaço
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/pedaço

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