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G50N03J

G50N03J

G50N03J

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G50N03J Ficha de dados

compliant

G50N03J Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.65000 $0.65
500 $0.6435 $321.75
1000 $0.637 $637
1500 $0.6305 $945.75
2000 $0.624 $1248
2500 $0.6175 $1543.75
4939 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 65A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1255 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/pedaço
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/pedaço
RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR
$0 $/pedaço
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/pedaço
IXKT70N60C5-TRL
IXKT70N60C5-TRL
$0 $/pedaço

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