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RF4G100BGTCR

RF4G100BGTCR

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

compliant

RF4G100BGTCR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.13000 $1.13
500 $1.1187 $559.35
1000 $1.1074 $1107.4
1500 $1.0961 $1644.15
2000 $1.0848 $2169.6
2500 $1.0735 $2683.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 530 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN2020-8S
pacote / caixa 8-PowerUDFN
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Número da peça relacionada

RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/pedaço
IXKT70N60C5-TRL
IXKT70N60C5-TRL
$0 $/pedaço
2SK4098FS
2SK4098FS
$0 $/pedaço
DMTH3004LFG-7
SIRA52DP-T1-RE3
G12P03D3
G12P03D3
$0 $/pedaço
DMNH6042SPD-13

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