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SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA52DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
6,000 $0.62676 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7150 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

G12P03D3
G12P03D3
$0 $/pedaço
DMNH6042SPD-13
SI2312B-TP
SI2312B-TP
$0 $/pedaço
DMP3045LFVWQ-13
RS6G120BGTB1
RS6G120BGTB1
$0 $/pedaço
NTMFS4C054NT1G
NTMFS4C054NT1G
$0 $/pedaço

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