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FDD6030BL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FDD6030BL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
71201 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1143 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXTP6N100D2
IXTP6N100D2
$0 $/pedaço
XP162A12A6PR-G
STF28NM60ND
STF28NM60ND
$0 $/pedaço
APT18F60B
APT18F60B
$0 $/pedaço
BUK663R7-75C,118
BUK663R7-75C,118
$0 $/pedaço
IRF7473TRPBF
NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G
$0 $/pedaço
R8005ANX
R8005ANX
$0 $/pedaço
SCT3080ALHRC11

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