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BUK663R7-75C,118

BUK663R7-75C,118

BUK663R7-75C,118

NXP USA Inc.

PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM,

compliant

BUK663R7-75C,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,800 $1.05591 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 75 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 234 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15450 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 306W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF7473TRPBF
NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G
$0 $/pedaço
R8005ANX
R8005ANX
$0 $/pedaço
SCT3080ALHRC11
FDJ127P
FDJ127P
$0 $/pedaço
PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
$0 $/pedaço
NTD15N06L-1G
NTD15N06L-1G
$0 $/pedaço
APT1003RSFLLG
IXFN32N120P
IXFN32N120P
$0 $/pedaço
IPU50R1K4CEAKMA1

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