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NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

onsemi

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC

compliant

NTMS3P03R2G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.28645 -
67544 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.34A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 750 pF @ 24 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 730mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

R8005ANX
R8005ANX
$0 $/pedaço
SCT3080ALHRC11
FDJ127P
FDJ127P
$0 $/pedaço
PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
$0 $/pedaço
NTD15N06L-1G
NTD15N06L-1G
$0 $/pedaço
APT1003RSFLLG
IXFN32N120P
IXFN32N120P
$0 $/pedaço
IPU50R1K4CEAKMA1
IXFR26N100P
IXFR26N100P
$0 $/pedaço
SQ3456BEV-T1_GE3

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