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IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

não conforme

IXTP6N100D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.99000 $5.99
50 $4.81500 $240.75
100 $4.38700 $438.7
500 $3.55240 $1776.2
1,000 $2.99600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2650 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

XP162A12A6PR-G
STF28NM60ND
STF28NM60ND
$0 $/pedaço
APT18F60B
APT18F60B
$0 $/pedaço
BUK663R7-75C,118
BUK663R7-75C,118
$0 $/pedaço
IRF7473TRPBF
NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G
$0 $/pedaço
R8005ANX
R8005ANX
$0 $/pedaço
SCT3080ALHRC11
FDJ127P
FDJ127P
$0 $/pedaço
PMV120ENEAR
PMV120ENEAR
$0 $/pedaço

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