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SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 150A TO263

SOT-23

não conforme

SUM60020E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.25000 $3.25
500 $3.2175 $1608.75
1000 $3.185 $3185
1500 $3.1525 $4728.75
2000 $3.12 $6240
2500 $3.0875 $7718.75
38 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 150A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 227 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10680 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/pedaço
IXTA102N15T-TRL
IXTA102N15T-TRL
$0 $/pedaço
SI3458BDV-T1-E3
SI3456DDV-T1-E3
DMP2305UVT-7
NTD20N06L-001
NTD20N06L-001
$0 $/pedaço
PMPB100ENEX
PMPB100ENEX
$0 $/pedaço
SISS30ADN-T1-GE3

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