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SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

SOT-23

não conforme

SISS30ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1295 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/pedaço
P3M12040K4
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/pedaço
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/pedaço
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/pedaço
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13

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