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SQM100N04-2M7_GE3

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SQM100N04-2M7_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

não conforme

SQM100N04-2M7_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.35564 $1084.512
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7910 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 157W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
STW69N65M5-4
$0 $/pedaço
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/pedaço
SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/pedaço
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/pedaço
IPW60R099P7XKSA1

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