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SIDR220EP-T1-RE3

SIDR220EP-T1-RE3

SIDR220EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET

não conforme

SIDR220EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.52000 $3.52
500 $3.4848 $1742.4
1000 $3.4496 $3449.6
1500 $3.4144 $5121.6
2000 $3.3792 $6758.4
2500 $3.344 $8360
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 92.8A (Ta), 415A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10850 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 415W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/pedaço
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/pedaço
IPW60R099P7XKSA1
DMN4060SVT-7
IRFB7740PBF
FDU6688
FDU6688
$0 $/pedaço
BUK625R0-40C,118

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