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DMTH47M2LPSW-13

DMTH47M2LPSW-13

DMTH47M2LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

não conforme

DMTH47M2LPSW-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.25329 $0.25329
500 $0.2507571 $125.37855
1000 $0.2482242 $248.2242
1500 $0.2456913 $368.53695
2000 $0.2431584 $486.3168
2500 $0.2406255 $601.56375
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 73A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 891 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI5060-8 (Type UX)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

STW69N65M5-4
STW69N65M5-4
$0 $/pedaço
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/pedaço
SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/pedaço
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/pedaço
IPW60R099P7XKSA1
DMN4060SVT-7

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