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SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

SI3456DDV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

não conforme

SI3456DDV-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13405 -
6,000 $0.12635 -
15,000 $0.11865 -
30,000 $0.10941 -
75,000 $0.10556 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 325 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

DMP2305UVT-7
NTD20N06L-001
NTD20N06L-001
$0 $/pedaço
PMPB100ENEX
PMPB100ENEX
$0 $/pedaço
SISS30ADN-T1-GE3
IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/pedaço
P3M12040K4

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