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SUG90090E-GE3

SUG90090E-GE3

SUG90090E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

compliant

SUG90090E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $3.04212 $1521.06
1,000 $2.59038 -
2,500 $2.46876 -
33 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 129 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5220 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 395W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/pedaço
SCT040H65G3AG
IRF2807STRRPBF
SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3
$0 $/pedaço
FQPF6P25
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/pedaço
RD3U041AAFRATL
NVMFS4C01NWFT1G
NVMFS4C01NWFT1G
$0 $/pedaço
IXTH24N65X2
IXTH24N65X2
$0 $/pedaço

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