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IXTH24N65X2

IXTH24N65X2

IXTH24N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

não conforme

IXTH24N65X2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $3.87000 $116.1
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2060 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 390W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

DMP2160UWQ-7
STP240N10F7
STP240N10F7
$0 $/pedaço
HUF76437P3
SUP85N10-10-GE3
IRFI4229PBF
STR2P3LLH6
STR2P3LLH6
$0 $/pedaço

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