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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 30A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 15V, 18V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 55mOhm @ 20A, 18V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4.2V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 39.5 nC @ 18 V |
| vgs (máx.) | +18V, -5V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 920 pF @ 400 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 221W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | H2PAK-7 |
| pacote / caixa | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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