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SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

SOT-23

não conforme

SQSA80ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.43296 -
6,000 $0.41263 -
15,000 $0.39811 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1358 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/pedaço
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/pedaço
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/pedaço
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
25P06
$0 $/pedaço
RTR025N05HZGTL
IRFS350A
IXTA42N15T-TRL
IXTA42N15T-TRL
$0 $/pedaço

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