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IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

não conforme

IXTA08N50D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.86000 $1.86
50 $1.50000 $75
100 $1.35000 $135
500 $1.05000 $525
1,000 $0.87000 -
2,500 $0.84000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 800mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12.7 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 312 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AA
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
25P06
$0 $/pedaço
RTR025N05HZGTL
IRFS350A
IXTA42N15T-TRL
IXTA42N15T-TRL
$0 $/pedaço
R6524ENJTL
R6524ENJTL
$0 $/pedaço
SIJ470DP-T1-GE3
ZDX050N50
ZDX050N50
$0 $/pedaço

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