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25P06

25P06

25P06

P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

SOT-23

25P06 Ficha de dados

não conforme

25P06 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.91000 $0.91
500 $0.9009 $450.45
1000 $0.8918 $891.8
1500 $0.8827 $1324.05
2000 $0.8736 $1747.2
2500 $0.8645 $2161.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3384 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

RTR025N05HZGTL
IRFS350A
IXTA42N15T-TRL
IXTA42N15T-TRL
$0 $/pedaço
R6524ENJTL
R6524ENJTL
$0 $/pedaço
SIJ470DP-T1-GE3
ZDX050N50
ZDX050N50
$0 $/pedaço
IRFP340PBF
IRFP340PBF
$0 $/pedaço
FQB32N12V2TM
FQP5N50C

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