Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

SOT-23

não conforme

SQS484ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.36612 -
6,000 $0.34236 -
15,000 $0.33048 -
30,000 $0.32400 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

HUFA75344S3S
FQI13N06LTU
FDN363N
FDN363N
$0 $/pedaço
FQPF3N80
SIS606BDN-T1-GE3
NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
$0 $/pedaço
FQB85N06TM

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.