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FQB85N06TM

FQB85N06TM

FQB85N06TM

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FQB85N06TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.31000 $1.31
500 $1.2969 $648.45
1000 $1.2838 $1283.8
1500 $1.2707 $1906.05
2000 $1.2576 $2515.2
2500 $1.2445 $3111.25
23961 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 85A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 42.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 112 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4120 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 160W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDMA410NZ
FDMA410NZ
$0 $/pedaço
IPI80N06S3L-08
PMPB85ENEAX
PMPB85ENEAX
$0 $/pedaço
IXTQ44N50P
IXTQ44N50P
$0 $/pedaço
NTMFS4C10NT1G
NTMFS4C10NT1G
$0 $/pedaço
IRFU3410PBF
STI6N80K5
STI6N80K5
$0 $/pedaço
IXTR40P50P
IXTR40P50P
$0 $/pedaço
BUK6E4R0-75C,127

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