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SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK

não conforme

SIS606BDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1470 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
$0 $/pedaço
FQB85N06TM
FDMA410NZ
FDMA410NZ
$0 $/pedaço
IPI80N06S3L-08
PMPB85ENEAX
PMPB85ENEAX
$0 $/pedaço
IXTQ44N50P
IXTQ44N50P
$0 $/pedaço
NTMFS4C10NT1G
NTMFS4C10NT1G
$0 $/pedaço

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