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SQP120N10-3M8_GE3

SQP120N10-3M8_GE3

SQP120N10-3M8_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

compliant

SQP120N10-3M8_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.51000 $3.51
10 $3.13500 $31.35
100 $2.57070 $257.07
500 $2.08164 $1040.82
1,000 $1.75560 -
2,500 $1.66782 -
5,000 $1.60512 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7230 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC
$0 $/pedaço
DN3525N8-G
DN3525N8-G
$0 $/pedaço
SIRC06DP-T1-GE3
FDA15N65
STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/pedaço
SI2365EDS-T1-BE3

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