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IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

compliant

IPB030N08N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.90236 -
2,000 $1.80725 -
5,000 $1.73930 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 160A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 155µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8110 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/pedaço
SI2365EDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-E3
STU7NM60N
STU7NM60N
$0 $/pedaço
FDB8444-F085
FDB8444-F085
$0 $/pedaço
PSMN1R5-40YSDX
IXFN26N120P
IXFN26N120P
$0 $/pedaço
SQJA70EP-T1_GE3

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