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IXFN26N120P

IXFN26N120P

IXFN26N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

compliant

IXFN26N120P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $39.09800 $390.98
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 460mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 695W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

SQJA70EP-T1_GE3
PMV65UNER
PMV65UNER
$0 $/pedaço
SFR9224TF
FCP16N60N
FCP16N60N
$0 $/pedaço
SI2312-TP
SI2312-TP
$0 $/pedaço
FQN1N50CBU
NVMFS5C426NWFAFT1G
NVMFS5C426NWFAFT1G
$0 $/pedaço
NTMFS4821NT1G
NTMFS4821NT1G
$0 $/pedaço
DMNH4006SK3-13
SIHP105N60EF-GE3

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