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SIHP105N60EF-GE3

SIHP105N60EF-GE3

SIHP105N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

não conforme

SIHP105N60EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.18615 $3.18615
500 $3.1542885 $1577.14425
1000 $3.122427 $3122.427
1500 $3.0905655 $4635.84825
2000 $3.058704 $6117.408
2500 $3.0268425 $7567.10625
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 102mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1804 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPP60R600P7
SPD04N60S5
STD10P6F6
STD10P6F6
$0 $/pedaço
SI5476DU-T1-GE3
IXTP12N50P
IXTP12N50P
$0 $/pedaço
IXTP1N120P
IXTP1N120P
$0 $/pedaço
NTA4151PT1H
NTA4151PT1H
$0 $/pedaço
FCP260N65S3
FCP260N65S3
$0 $/pedaço
IRFL4310TRPBF
SIHP12N60E-E3
SIHP12N60E-E3
$0 $/pedaço

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