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BSC027N04LSGATMA1

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BSC027N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON

compliant

BSC027N04LSGATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.75075 -
10,000 $0.73500 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 49µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6800 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-1
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DN3525N8-G
DN3525N8-G
$0 $/pedaço
SIRC06DP-T1-GE3
FDA15N65
STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/pedaço
SI2365EDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-E3
STU7NM60N
STU7NM60N
$0 $/pedaço

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