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SQM60N06-15_GE3

SQM60N06-15_GE3

SQM60N06-15_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

não conforme

SQM60N06-15_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.33739 $1069.912
1,600 $1.22735 -
2,400 $1.14271 -
5,600 $1.10039 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 56A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2480 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 107W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQJA70EP-T1_BE3
2N7002KT7G
2N7002KT7G
$0 $/pedaço
STD35P6LLF6
STD35P6LLF6
$0 $/pedaço
SIHB28N60EF-T1-GE3
SIHA15N50E-GE3
SIHA15N50E-GE3
$0 $/pedaço
IRFS4010TRLPBF
APT5010JVRU2
FDD13AN06A0-F085
FDD13AN06A0-F085
$0 $/pedaço
SI7117DN-T1-GE3

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