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SIHB28N60EF-T1-GE3

SIHB28N60EF-T1-GE3

SIHB28N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

SOT-23

não conforme

SIHB28N60EF-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.50000 $6.5
500 $6.435 $3217.5
1000 $6.37 $6370
1500 $6.305 $9457.5
2000 $6.24 $12480
2500 $6.175 $15437.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2714 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHA15N50E-GE3
SIHA15N50E-GE3
$0 $/pedaço
IRFS4010TRLPBF
APT5010JVRU2
FDD13AN06A0-F085
FDD13AN06A0-F085
$0 $/pedaço
SI7117DN-T1-GE3
RV2C001ZPT2L
RV2C001ZPT2L
$0 $/pedaço
SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3
$0 $/pedaço
SI1308EDL-T1-GE3
TPIC5621LDW
TPIC5621LDW
$0 $/pedaço
IXTQ42N25P
IXTQ42N25P
$0 $/pedaço

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