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SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

não conforme

SI7117DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.62320 -
6,000 $0.59394 -
15,000 $0.57304 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.17A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 510 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

RV2C001ZPT2L
RV2C001ZPT2L
$0 $/pedaço
SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3
$0 $/pedaço
SI1308EDL-T1-GE3
TPIC5621LDW
TPIC5621LDW
$0 $/pedaço
IXTQ42N25P
IXTQ42N25P
$0 $/pedaço
SI2303CDS-T1-BE3
RM120N85T2
RM120N85T2
$0 $/pedaço
IRFB52N15DPBF
NVMFS5C638NLWFT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
$0 $/pedaço

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